Aiwa NSX-A508 - Manual (Page 67)

Enceintes acoustiques SX-NA502
Appareii principal CX-NA508
Partie tuner FM
Plage d’accord
Sensibilité utile (IHF)
Bornes d’antenne
Partie tuner AM
Plage d’accord
Sensibilité utiie
Antenne
87,5 MHz à 108 MHz
13,2 dBf
75 ohms (asymétrique)
530 kHz à 1710 kHz (par pas de
10 kHz)
531 kHz à 1602 kHz (par pas de 9
kHz)
350 pV/m
Antenne cadre
Type de caisson
Haut-parieurs
Impédance
3 voies, bass-reflex (Type
biindage antimagnétique)
Haut-parleur de grave:
cône de 140 mm
Haut-parleur d’aigu:
cône de 60 mm
Super-tweeter:
céramique 10 mm
6 ohms
(O
11 ]
K
ü
<
ce
lU
Z
U
<5
Niveau de pression acoustique
de sortie 87 dB/W/m
Dimensions (L x H x P) 235 x 324 x 250 mm
Poids 3,3 kg
Les spécifications et l’aspect extérieur peuvent être modifiés sans
préavis.
Partie amplificateur
Puissance de sortie
Distorsion harmonique totaie
Entrées
Sorties
Partie magnétocassette
Format de piste
Réponse en fréquence
Système d’enregistrement
Têtes
60 W -r 60 W (de 50 Hz à 20 kHz,
□HT inférieure à 1%, 6 ohms)
0,05% (50 W, 1 kHz, 6 ohms,
AUDIO DIN)
VIDEO/AUX: 150 mV (réglable)
MD: 150 mV (réglable)
MIC: 1,8 mV (10 kO)
LINE OUT: 200 mV
SUPERWOOFERS: 1,9V
SPEAKERS:
acceptent des
enceintes de 6 ohms ou plus
SURROUND SPEAKERS:
acceptent des enceintes de 8
ohms à 16 ohms
PHONES (prise stéréo): accepte
un casque de 32 ohms ou plus
4 pistes, 2 canaux stéréo
50 Hz - 15000 Hz
Polarisation CA
1 tête de lecture (platine 1)
1 tête de lecture/d’enregistrement,
1 tête d’effacement (platine 2)
uuu SYSTEM
L’expression “BBE” et le symbole “BBE” sont des marques
déposées de BBE Sound, Inc.
Sous licence de BBE Sound, Inc.
DROITS D’AUTEUR
Prière de vérifier les lois sur la propriété artistique relatives à
l’enregistrement de disques, de la radio ou de cassettes dans le
pays d’utilisation de l’appareil.
Partie lecteur de disques compacts
Laser
Convertisseur N/A
Rapport signal/bruit
Distorsion harmonique
Pleurage et scintillement
Généralités
Alimentation électrique
Consommation électrique
Dimensions de l'appareil
principal (L X H X P)
Poids de l’appareil principal
Laser à semi-conducteurs
{X = 780 nm)
1 bit, double
85dB(1 kHz, OdB)
0,05% (1 kHz, 0 dB)
En deçà du seuil mesurable
Secteur 120 V, 60 Hz
100 W
260 X 329,1 X 344,5 mm
6,4 kg
FRANÇAIS 2 2