Velleman EVM851 - Manual (Page 33)

16.04.201
Lagertem
Lo-Bat-A
Abmessu
Gewicht
9.1 GLE
Berei
200m
2V
20V
200
600
9.2 GLE
Berei
200µ
2mA
20m
200m
10A
Überlastu
9.3 WE
Berei
200
600
Frequenz
9.4 DIO
Berei
9.5 WI
Berei
200Ω
2kΩ
20kΩ
200k
2MΩ
Max. Spa
9.6 TRA
Ber
NPN
0
mperatur
nzeige
ungen
EICHSPANNU
Messen
ich
mV
V
V
V
V
EICHSTROM
Messen
ich
µA
A
mA
mA
A
ungsschutz Sich
CHSELSPAN
Messen
ich
V
V
zbereich : 40Hz
ODENTEST &
Führen S
mögliche
ich
DERSTAND
Führen S
Spannun
ich
Ω
Ω
Ω
kΩ
Ω
annung für offen
ANSISTOR-h
Füh
Spa
reich
& PNP
UNG
Sie nie in Kreise
Auflösun
100µV
1mV
10mV
100mV
1V
Sie keinen Stro
Auflösun
0.1µA
1µA
10µA
100µA
10mA
herung: 200mA-
NUNG
Sie nie in Kreise
Auflösun
100mV
1V
bis 400Hz.
& DURCHGAN
Sie nie Diodenm
erweise unter S
Wenn es Du
Auf dem Disp
Sie keine Wider
ng stehen.
Auflösun
0.1Ω
1Ω
10Ω
100Ω
1kΩ
ne Schaltung : 3
hFE-TEST (0-
ren Sie keinen T
annung stehen.
Testbere
0-1000
EVM8
33
en mit Spannun
ng
m in Kreisen m
ng
-Bereich F200m
en mit Spannun
ng
NGSPRÜFUNG
messungen oder
Spannung stehen
U
rchgang gibt (<
lay erscheint de
standsmessung
ng
3.2V
1000)
Transistortest d
Verwenden Sie
eich
0
851
-10°C
"
"
138 x
ungef
ngen > 600V
it einer Spannu
A/250V, 10A-Be
ngen > 600V
G
r Durchgangsprü
n.
mschreibung
<60Ω), ertönt ei
er fortlaufende S
gen durch in Kre
durch in Kreisen
für den Transis
Teststro
Ib = 10µ
C bis 50°C
" erscheint auf d
x 69 x 31mm
fähr 142g
Genauigk
±0.5% ± 2 D
±0.8% ± 2 D
±1.0% ± 2 D
ng > 250V
Genauigk
±1% ± 2 Dig
±1.5% ± 2 D
±3% ± 2 Dig
ereich F10A/250
Genauigk
±1.2% ± 10 D
üfungen durch i
n akustisches W
Spannungsabfal
eisen, die möglic
Genauigk
±0.8% ± 2 D
±1.0% ± 2 D
, die möglicherw
stortest den mit
om
µA
©Vellema
dem Display
eit
Digits
Digits
Digits
eit
gits
Digits
gits
0V.
eit
Digits
n Kreisen, die
Warnsignal
ll der Diode
cherweise unter
eit
Digits
Digits
weise unter
gelieferten Adap
Testspannung
VCD = 3V
an nv
r
pter.
g