MSI G41M-P33 Combo - Manual (Page 132)

2
Ce Support
開啟本功能會在 CPu 閒置時，減低電量的耗損。並非所有處理器均支援 en-
hanced Halt state (Ce) 功能。
adjust CPu Base Frequency (mHz)
本項設定 CPu base clock (以 mHz 計)。您可調整本數值來超頻處理器。注意我
們不保證超頻的成功與否。
adjusted CPu Frequency (mHz)
本項顯示調整後 CPu 的頻率。唯讀。
advance dRam Configuration
按下 鍵，即可進入子選單。
dRam timing mode
選擇 dRam 的時序，是否由 dRam 模組上的 SPd eePRom 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRam 時序及其它相
關設定。設定為 [manual] 時，則以手動方式更改 dRam 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位
址信號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRam 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延
遲時間 (以時脈計)。
tRCd
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。在dRam更新
時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的
過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位
址(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充
電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步
動態隨機存取記憶體時。
tRaS
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS
由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRtP
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電
間的時間差。
tRFC
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有
效寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫
入緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同
記憶體間的 active-to-active 延遲時間。